logo
Να στείλετε μήνυμα
Καλή τιμή  σε απευθείας σύνδεση

λεπτομέρειες για τα προϊόντα

Σπίτι > προϊόντα >
MOSFET οδηγών μηχανών BLDC
>
JUYI 500V / 8A N Τρόπος Ενίσχυσης Διάβασης Δύναμης MOSFET με γρήγορη αλλαγή και ανάκτηση αντίστροφου σώματος

JUYI 500V / 8A N Τρόπος Ενίσχυσης Διάβασης Δύναμης MOSFET με γρήγορη αλλαγή και ανάκτηση αντίστροφου σώματος

Ονομασία μάρκας: JUYI
Model Number: JY8N5M
MOQ: 10SET
τιμή: Διαπραγματεύσιμα
Πληροφορίες συσκευασίας: Τσάντα PE+ Χαρτοκιβώτιο
Όροι πληρωμής: Χρηματοδοτήσεις
Πληροφορίες λεπτομέρειας
Τόπος καταγωγής:
Κίνα
Χρώμα:
Μαύρο
Διάδρομος:
Κανάλι Ν
Γρήγορη ταχύτητα αλλαγής:
- Ναι, ναι.
Πεδίο λειτουργίας:
-55℃ σε 150℃
συμβατή λογική εισόδου:
3.3V και 5V
Συστήματα υψηλής συχνότητας:
- Ναι, ναι.
Δυνατότητα προσφοράς:
1000sets/day
Επισημαίνω:

500V MOSFET ισχύος

,

8A MOSFET ισχύος

,

Γρήγορη αλλαγή ισχύος MOSFET

Περιγραφή προϊόντων

JUYI 500V / 8A N Τρόπος Ενίσχυσης Διάβασης Δύναμης MOSFET με γρήγορη αλλαγή και ανάκτηση αντίστροφου σώματος

 

 

Γενική περιγραφή
Το προϊόν χρησιμοποιεί τις προηγμένες τεχνικές επίπεδης επεξεργασίας για την επίτευξη της υψηλής πυκνότητας κυττάρων και μειώνει την αντίσταση ανάφλεξης με υψηλό βαθμό επαναλαμβανόμενης χιονοστιβάδας.Αυτά τα χαρακτηριστικά συνδυάζονται για να κάνουν αυτό το σχεδιασμό μια εξαιρετικά αποτελεσματική και αξιόπιστη συσκευή για χρήση στην εφαρμογή μεταγωγής ισχύος και μια ευρεία ποικιλία άλλων εφαρμογών.
 
Ειδικά χαρακτηριστικά
500V/8A, RDS ((ON) =0,75Ω@VGS=10V ((Τυπικό)
Γρήγορη αλλαγή και ανάκτηση σώματος προς τα πίσω
Εξαιρετικό πακέτο για καλή απώλεια θερμότητας
 
Εφαρμογές
Φωτισμός
Υψηλής απόδοσης τροφοδοσίες με διακόπτη λειτουργίας
 
Περιγραφή PIN
JUYI 500V / 8A N Τρόπος Ενίσχυσης Διάβασης Δύναμης MOSFET με γρήγορη αλλαγή και ανάκτηση αντίστροφου σώματος 0
Απόλυτη μέγιστη θερμοκρασία (Tc=25oC), εκτός εάν αναφέρεται διαφορετικά.
Σύμβολο Παράμετρος Περιορισμός Μονάδα
VΔΕ Η τάση της πηγής αποχέτευσης 500 V
VGS Η τάση πύλης πύλης ±30 V
Εγώ...D
Συνεχή αποστράγγιση
Τρέχων
Tc=25oC 8 Α
Tc=100oC 4.8
Εγώ...DM Παλμικό ρεύμα αποστράγγισης 30 Α
ΠD Μέγιστη διάσπαση ισχύος 80 W
ΤJΤΕΜΤ Περιοχή θερμοκρασίας λειτουργίας και αποθήκευσης -55+150 oC
RθJC Θερμική αντίσταση-συνδέσμος με την θήκη 1.56 °C/W
 

 

Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά ((Tc=25oC Εκτός αν αναφέρεται διαφορετικά)
JUYI 500V / 8A N Τρόπος Ενίσχυσης Διάβασης Δύναμης MOSFET με γρήγορη αλλαγή και ανάκτηση αντίστροφου σώματος 1
Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά (Ta=25oC, εκτός εάν αναφέρεται διαφορετικά)
JUYI 500V / 8A N Τρόπος Ενίσχυσης Διάβασης Δύναμης MOSFET με γρήγορη αλλαγή και ανάκτηση αντίστροφου σώματος 2

JUYI 500V / 8A N Τρόπος Ενίσχυσης Διάβασης Δύναμης MOSFET με γρήγορη αλλαγή και ανάκτηση αντίστροφου σώματος 3

 

JUYI 500V / 8A N Τρόπος Ενίσχυσης Διάβασης Δύναμης MOSFET με γρήγορη αλλαγή και ανάκτηση αντίστροφου σώματος 4